Nel circuito, l'NMOS ad arricchimento, sta funzionando in zona attiva con VDD=12 V VDS=6 V VGS=4 V ID=2 mA R1+R2=6MΩ Determinare: RD=? R1=? R2=? [ R1=4 MΩ | R2= 2MΩ | RD=3 kΩ ]
Nel circuito di un NMOS ad arricchimento con una rete di polarizzazione identica a quella dell'esercizio precedente si ha VDD=18 V ID=5 mA K=0,3 mA/V2 VT=3,5 V Dimensionare le tre resistenze da collegare al transistor.
Un NMOS ad arricchimento è polarizzato con una rete identica ai due esercizi precedenti con: VDD=18 V K=0,2 mA/V2 VT=3 V R1=8 MΩ R2=5 MΩ RD=2,7 kΩ Calcolare il punto di lavoro . [ ID=3,07 mA | VDS=9,71 V ]
Nel circuito disegnato, si ha: VDD=12 V VDS=6 V VGS=6 V ID=2 mA R1=5 MΩ Calcola RD. [ RD=3 kΩ ]
Un NMOS è polarizzato secondo lo schema illustrato VDD=18 V R1=5,6 kΩ R2=4,7 kΩ RD=2,2 kΩ RS=1,2 kΩ K=0,4mA/V2 VT=3 V Calcolare il punto di lavoro [ ID=2,33 mA | VDS=10 V ]
Nel circuito un NMOS ad arricchimento, deve azionare un relè caratterizzato da una resistenza di avvolgimento RL=100Ω . Determinare i valori di Vi adatti ad eccitare e diseccitare il relè sapendo che i parametri nel circuito sono: VDD=10 V VT=3V ID(on)=1,7 A VGS=10V rD(on)=2 Ω .
Nel circuito disegnato si utilizza un NMOS ad arricchimento caratterizzato da VT=3 V ID(on)=18mA per VGS=10V. Dimensionare le resistenze in modo che il transitor lavori con ID=4mA e VDS=6V. Su RS imporre una caduta di tensione VRS=2V .