edutecnica


Transistor ad effetto campo

      

I FET ( field effect transistor) sono dispositivi a semiconduttore comandati in tensione a differenza dei transistor tradizionali (BJT: bipolar junction transistor) che invece sono comandati in corrente.
Il transistor ad effetto campo differisce dal transistor bipolare a giunzione per alcune importanti caratteristiche:
1) Il suo funzionamento dipende dal flusso dei soli portatori maggioritari, per questo è definito come un dispositivo unipolare (portatori di un solo tipo).
2) E' più semplice da realizzare in forma integrata ; occupa spazi minori.
3) Presenta una elevata impedenza di ingresso dell'ordine dei megaohm.
4) E' caratterizzato da un rumore termico molto basso
5) Funziona molto meglio come dispositivo interruttore

Il principale svantaggio dei FET rispetto ai BJT è quello di avere un GBWP (prodotto del guadagno per larghezza di banda) inferiore .

Si distinguono due tipi di FET : quello a giunzione o JFET ( junction FET) e i MOSFET ( metal-oxide-semiconductor) più brevemente MOS.
Assieme all'amplificatore operazionale (AO) e al transistor (BJT) sono considerati dei dispositivi attivi perchè in grado di amplificare un segnale elettrico, i MOS sono invece impiegati nell'elettronica di potenza come interruttori e nell'elettronica integrata perchè possono essere realizzati con dimensioni molto inferiori a quelle di un BJT.
Memorie, microprocessori, e microcontrollori per telefoni cellulari o per console di videogiochi sono realizzati con tecnologia MOS o CMOS.


JFET

      

Esistono due tipi di JFET: quello a canale n e quello a canale p; hanno struttura fisica e caratteristiche elettriche del tutto analoghe, variano solo i portatori di carica elettrica, elettroni nel tipo n e lacune per il tipo p; lo schema di principio di un tipo n è disegnato qui sotto


Si usa una sbarretta di materiale semiconduttore ( silicio ) drogato n che reca alle due estremità i due terminali di source (S) e di drain (D) sui due altri lati vi sono due zone a drogaggio p collegate al terminale di gate (G). Si realizzano dunque, due giunzioni pn all'interno del canale.


Funzionamento del JFET

      

Durante il funzionamento normale le giunzioni sono polarizzate inversamente e fra source e drain transita una corrente ID (corrente di drain) la cui intensità può essere controllata dalla tensioneVGS fra gate e source

Se si osservano le caratteristiche di uscita, ad esempio per la curva VGS=0 si vede che per bassi valori di VDS questa ha un comportamento resistivo cioè aumentando VDS aumenta proporzionalmente la corrente di drain ID.

Durante questo comportamento di tipo lineare all'interno del canale si instaura una zona di svuotamento la cui dimensione è proporzionale alla polarizzazione inversa fra gate e source e maggiormente più estesa sul lato del terminale di drain a causa del fatto che esso è collegato al terminale positivo e in quella zona la polarizzazione inversa è più accentuata.

All'aumentare di VDS, mantenendo sempre VGS=0 la zona di svuotamento si estende, il canale si restringe, la ID aumenta ancora, ma sempre più lentamente a causa della progressiva riduzione di sezione del canale
( tratto più incurvato della caratteristica ).

Quando la tensione la VDS raggiunge il valore Vp: tensione di pinch-off ( di strozzamento) la larghezza del canale raggiunge il suo minimo.

Anche se si aumenta VDS la sezione del canale e la velocità delle cariche rimane costante: la corrente ID la cui intensità dipende dalla sezione del canale, ha raggiunto la zona di saturazione; da lì in poi rimarrà costante.

Polarizzando inversamente il gate, la zona di deplezione inizia a formarsi già con VDS=0 nella zona resistiva, la ID aumenta in modo meno deciso di prima perchè, come si vede anche dalle curve, il canale presenta una resistenza maggiore,

si vede poi che la tensione di strozzamento Vp viene raggiunta per valori di VDS sempre più inferiori man mano che si aumenta la polarizzazione inversa di VGS.

Se VGS diviene tanto negativa da provocare lo strozzamento del canale già con VDS=0 , la corrente ID sarà nulla per qualsiasi valore di VDS.
Questo valore di VGS indicato con VGS(off )  coincide in valore assoluto con Vp,ma ha segno opposto.

Il funzionamento del JFET a canale p è del tutto simile a quello del canale n,solo che in questo caso, essendo i portatori di carica sostituiti dalle lacune,la corrente ID scorrerà dal source al drain e la tensione VDS sarà negativa.

Per motivi costruttivi la struttura reale di un JFET è differente da quella descritta. Qui sotto è disegnata una struttura planare epitassiale che può rendere l'dea di come sia costruito un JFET.
Su un substrato di tipo p viene fatto crescere epitassialmente uno strato di tipo n,che costituisce il canale del transistor. Al suo interno per diffusione vengono successivamente ricavate la zona p+ di gate e due zone n+; di source e di drain.


Caratteristiche di uscita

      

Per le caratteristiche di uscita bisogna far riferimento al grafico VDS–ID disegnato sopra.

Zona resistiva: è caratterizzata da bassi valori di VDS ed è delimitata dalla curva tratteggiata in corrispondenza della quale iniziava lo strozzamento del canale.

In questo zona l' andamento delle caratteristiche è prevalentemente rettilineo;il JFET si comporta come un vero e proprio resistore la cui resistenza rDS è controllata dalla tensione VGS.
Viene quindi, definito un parametro: resistenza di drain nello stato ON: rDS(on) come il rapporto fra VDS e ID nell'intorno dell'origine per VGS=0.

Questo importante parametro è corrisponde all'inverso della pendenza del tratto rettilineo della caratteristica per VGS=0.
Nei JFET commerciali rDS(on) presenta valori che vanno da qualche unità a diverse centinaia di Ω . Come si nota dal diagramma per valori progressivanente negativi di VGS diminuisce la pendenza del tratto resistivo delle caratteristiche e pertanto rDS aumenta.

Zona di saturazione o a corrente costante.
Viene utilizzata nell'amplificazione lineare e corrisponde alla zona in cui le caratteristiche sono all'incirca orizzontali e IDS è sostanzialmente costante e indipendente da VDS.
Nei data-sheets appare il valore di IDSS cioè il valore della ID di saturazione per VGS=0 e in corrispondenza a un valore precisato di VDS.
In funzionamento corretto la giunzione gate-canale non deve assolutamente entrate in conduzione;
il fabbricante fornisce il valore della corrente inversa della giunzione per VGS=0, indicandola con IGSS (dell'ordine dei nA).

Zona di breakdown.Valori elevati della tensione inversa sulla giunzione gate-canale provocano la sua rottura per effetto valanga.
Indicando con BVDSS la tensione di rottura per VGS=0,si nota che il breakdown sia verifica per valori di VDS minori,man mano che la VGS diviene più negativa. A parità di VDS la tensione inversa ai capi della giunzione cresce con lo spostarsi di VGS verso i valori negativi. BVDSS è circa dell'ordine di qualche decina di volt.

Zona di interdizione: quando la VGS assume valori negativi tali da strozzare il canale anche con VDS=0 il JFET è interdetto (OFF) e la ID è teoricamente nulla ( in realtà è dell'ordine dei nA).
La VGS che interdice il JFET è appunto la VGS(off) o tensione di interdizione .


Transcaratteristica

      

Anche chiamata caratteristica di trasferimento, è la funzione ID=f(VGS) nella zona di saturazione in corrispondenza di un assegnato valore di VDS.

Questa funzione viene espressa come:


JFET interruttore

      


A secondo che si voglia usare un JFET a canale n o a canale p, si può far riferimento ai due schemi qui disegnati

Interdizione: se si vuole ottenere una condizione di interdizione si deve avere

qui a fianco sono rappresentate le caratteristiche di uscita intersecate dalla retta di carico.

La retta di carico è la curva rappresentativa la condizione circuitale che sta al contorno del dispositivo in condizioni statiche (in continua).

In condizioni di interdizioni il punto di lavoro si trova in T con IDS≈0 e VDS≈VDD.
La condizione OFF del JFET può essere rappresentata come un interruttore aperto.

Saturazione : se si pone VGS=0 il JFET entra nella zona di massima conduzione (ON).
Il suo punto di lavoro viene individuato dal punto X, intersezione tra la retta di carico e le caratteristiche di uscita:

Se il carico RD è sufficientemente grande da far funzionare il dispositivo nella zona resistiva il JFET si comporta come un interruttore chiuso di resistenza rDS(on). Se la rDS(on) non viene trovata nei fogli tecnici, si può assumere


Polarizzazione

      


Un altro utilizzo del JFET è quello di dispositivo amplificatore di segnale.
Come nel caso del transistor bipolare occorre polarizzarlo opportunamente ed anche in questo caso possiamo usare una rete di autopolarizzazione.
In questa rete, si pone a massa attraverso la resistenza RG il terminale di gate, quindi sulla maglia di ingresso si usa

mentre sulla maglia di uscita si ha


In alternativa si può usare la rete di polarizzazione mista analoga alla soluzione con partitore di base nel BJT, in sostanza con un partitore di compensazione, dove sulla maglia di ingresso si ha

mentre l'equazione sulla maglia di uscita rimane invariata rispetto al caso precedente.